セラミックヒーターとは
高速昇温 / 冷却仕様：パルスヒーティング
窒化アルミニウム（ALN）の優れた熱伝導特性と、実績ある優れた厚膜技術に裏付けされた発熱体回路。
そして、高い精度を誇るセラミック加工技術が融合したセラミックヒーターは、昇温速度と発熱体表面の均熱性において、非常に優れた性能を持っています。
また、冷却機能と、各ワークにアジャストされたツール（アタッチメント・コレット等）吸着機能もユニット化されており、フリップチップ、ACF（異方性導電フィルム）、熱可塑性や熱硬化樹脂等の熱圧着接合や封止、接着を目的とした装置のヒーターとして、生産効率（タクトタイム低減）向上に貢献しています。
ALN：セラミックヒーターの特長
昇温速度
ヒーターサイズにもよりますが、当社□12mmの場合、200℃/秒の昇温速度があります。0.1秒でも早くすることで、搭載される装置の生産効率向上に寄与します。
冷却速度
ハンダや熱可塑性樹脂の場合、ヒーターの温度が硬化温度以下にならねばなりません。昇温速度も重要ですが、冷却速度も同様に非常に大きな性能条件となります。当社ヒーターは、圧縮空気をヒーター発熱体部位にダイレクトパージさせる方法をとっており、放熱性能の高い窒化アルミニウムの性能と合わせ、非常に早い冷却速度を誇っております。
発熱面の均熱性
接合（接着）部位は点ではなく面になるため、各接合（接着）面の均熱性が非常に重要な性能条件の一つになります。当社ヒーターは、熱伝導性能の高い窒化アルミニウムを採用し、業界トップの温度分布を実現しており、温度分布のムラ等による品質のバラツキを低減することが可能となります。
ヒーターの熱膨張による発熱面変位の低減
微細接合（接着）を行ううえで、熱膨張による変位は少しでも低減せねばなりません。当社ヒーターに採用している各材料は膨張係数の低い、そしてその係数が近い材料を選定しています。それにより発熱面の変位バラツキも押さえ込んでいます。
ヒーター面の耐荷重能力
ACF接合の場合、熱ばかりでなく圧力も接着に必要な条件となっています。昇温速度が速いばかりでなく、発熱面の耐荷重能力も重要な要素のひとつです。
温度コントロール
非常に早い昇温速度能力を有するヒーターには、優れた温度コントローラーが必要です。ターゲット温度に到達後、大きな温度のオーバーシュートは可能な限り避けねばなりません。当社ヒーターは、サンプリングタイムの速い温度調節計と電力調整器をセットとして使用することで、優れた温度コントロールが実現できます。
製品情報：セラミックヒーター
新製品
ACH12
- ヒーター面積 [mm]
- □12
- 昇温速度(50～450[℃])[s]
- ≦1.4
- 冷却速度(450～100[℃])[s]
- ≦2.5
- 均熱性
- ≦制御温度×6 [%]
- 耐荷重 [N]
- ≦600
- 供給電圧 [V]
- AC100
- 消費電力 [W]
- ≦1,538
- ワット密度 [W/c㎡]
- 731≦
ACH16
- ヒーター面積 [mm]
- □16
- 昇温速度(50～450[℃])[s]
- ≦1.2
- 冷却速度(450～100[℃])[s]
- ≦5.0
- 均熱性
- ≦制御温度×6 [%]
- 耐荷重 [N]
- ≦1,000
- 供給電圧 [V]
- AC100
- 消費電力 [W]
- ≦1,538
- ワット密度 [W/c㎡]
- 460≦
ACH22
- ヒーター面積 [mm]
- □22
- 昇温速度(50～450[℃])[s]
- ≦2.5
- 冷却速度(450～100[℃])[s]
- ≦5.0
- 均熱性
- ≦制御温度×6 [%]
- 耐荷重 [N]
- ≦1,500
- 供給電圧 [V]
- AC100
- 消費電力 [W]
- ≦2,222
- ワット密度 [W/c㎡]
- 317≦
ACH35
- ヒーター面積 [mm]
- □35
- 昇温速度(50～450[℃])[s]
- ≦2.5
- 冷却速度(450～100[℃])[s]
- ≦6.5
- 均熱性
- ≦制御温度×6 [%]
- 耐荷重 [N]
- ≦3,000
- 供給電圧 [V]
- AC200
- 消費電力 [W]
- ≦5,000
- ワット密度 [W/c㎡]
- 272≦
標準品
JSH12K
- ヒーター面積 [mm]
- □12
- 昇温速度(50～450[℃]) [s]
- ≦1.4
- 冷却速度(450～100[℃]) [s]
- ≦7.0
- 均熱性(450[℃]20[s]保持
- ≦制御温度×6 [%]
- 耐荷重 [N]
- ≦600
- 供給電圧 [V]
- AC100
- 消費電力 [W]
- ≦1,350
- ワット密度 [W/c㎡]
- 609≦
JSH22K
- ヒーター面積 [mm]
- □22
- 昇温速度(50～450[℃]) [s]
- ≦3.3
- 冷却速度(450～100[℃]) [s]
- ≦10.8
- 均熱性(450[℃]20[s]保持
- ≦制御温度×6 [%]
- 耐荷重 [N]
- ≦1,500
- 供給電圧 [V]
- AC100
- 消費電力 [W]
- ≦1,900
- ワット密度 [W/c㎡]
- 217≦
JSH32L
- ヒーター面積 [mm]
- □32
- 昇温速度(50～450[℃]) [s]
- ≦2.2
- 冷却速度(450～100[℃]) [s]
- ≦15.5
- 均熱性(450[℃]20[s]保持
- ≦制御温度×6 [%]
- 耐荷重 [N]
- ≦3,000
- 供給電圧 [V]
- AC200
- 消費電力 [W]
- ≦4,500
- ワット密度 [W/c㎡]
- 355≦
JSH52K
- ヒーター面積 [mm]
- □52
- 昇温速度(50～450[℃]) [s]
- ≦6.0
- 冷却速度(450～100[℃]) [s]
- ≦30.0
- 均熱性(450[℃]20[s]保持
- ≦制御温度×8 [%]
- 耐荷重 [N]
- ≦5,000
- 供給電圧 [V]
- AC200
- 消費電力 [W]
- ≦5,700
- ワット密度 [W/c㎡]
- 164≦
カスタム品
JKH16
- ヒーター面積 [mm]
- □16
- 昇温速度(50～450[℃]) [s]
- ≦1.5
- 冷却速度(450～100[℃]) [s]
- ≦9.5
- 均熱性(450[℃]20[s]保持
- ≦制御温度×6 [%]
- 耐荷重 [N]
- ≦700
- 供給電圧 [V]
- AC100
- 消費電力 [W]
- ≦1,800
- ワット密度 [W/c㎡]
- 520≦
JKH6014
- ヒーター面積 [mm]
- □60×14
- 昇温速度(50～450[℃]) [s]
- ≦4.0
- 冷却速度(450～100[℃]) [s]
- ≦18.0
- 均熱性(450[℃]20[s]保持
- ≦制御温度×8 [%]
- 耐荷重 [N]
- ≦2,500
- 供給電圧 [V]
- AC200
- 消費電力 [W]
- ≦2,500
- ワット密度 [W/c㎡]
- 238≦
JKH6070
- ヒーター面積 [mm]
- □60×70
- 昇温速度(50～450[℃]) [s]
- ≦22.0
- 冷却速度(450～100[℃]) [s]
- ≦71.0
- 均熱性(450[℃]20[s]保持
- ≦制御温度×8 [%]
- 耐荷重 [N]
- ≦8,000
- 供給電圧 [V]
- AC200
- 消費電力 [W]
- ≦5,000
- ワット密度 [W/c㎡]
- 119≦
製品情報：高速温度コントローラ
パルスヒーティングヒーター専用 高速温度コントローラー HEC110A
窒化アルミニウムヒーターは、コントローラーにフィードバックされた発熱体の温度を高速で調節することで、ヒーターが持つ性能を引き出すことが可能となります。
HEC110Aに組み込まれた高速温度調節計と電力調整器により、最適な制御が実現できます。
温度調節器
- 名称
- パルスヒーティングヒーター用温度コントローラー
- 型式
- HEC110A
- 外形寸法
- 200（H）×150（W）×309（D）mm
- 使用温度範囲
- －10～50（℃）
- 使用湿度範囲
- 5～95%（RH)
- 電源電圧
- AC100～240V
- 入力1
- ヒーター：K熱電対（制御：C）
- 入力2
- ヒーター：K熱電対（監視：M）
- 出力1
- DC 4-20mA
- 出力2
- リレー接点出力
- 出力3
- 伝送出力 DC 4-20mA (F.S.：0～1,000℃）
- 出力4
- リレー接点出力
- 出力5
- リレー接点出力
- イベント入力
- DI：1～3 メモリエリア切換
- DI：4 メモリエリアセット
- DI：5 RUN/STOP切換
- DI：6 リモート/ローカル切換
- 通信機能
- RS485(理化工業：標準プロトコル）
- ヒーター過昇温保護
- 500（℃）
- サンプリング周期
- 0.025(sec）
単相電力調整器
- 電源電圧
- AC 85～264V
- 制御方法
- 位相制御
- 定格負荷電流
- AC 25A
パルスヒーティングヒーター専用 高速温度コントローラ C7S／PG5□□
マルチループコントローラ 形 C7S（アズビル株式会社製）
特徴
- 高速制御性
最大4ループ/10msの高速制御を実現。 - カスケード制御
カスケード制御機能に対応。応答遅れの大きなプロセス制御に威力を発揮し ます。 - 標準で2つの通信を装備
イーサネットとRS485通信、2つの通信を標準装備しています。 - ヒーター抵抗値の変化を表示・記録
ヒーター抵抗値モニター（表示・通信）及び記録することができます。 - スマート・ローダー・パッケージ（別売）
PCソフトウェアツールにより、設定とモニタが可能です。
サイリスタ式電力調整器 形 PG5□□（アズビル株式会社製）
特徴
- 高速応答性
制御信号入力の変化に対して出力が高速高分解能で応答するため、高速昇温の高精度制御に適しています。
主な用途
当社のALN：セラミックヒーターは、各装置メーカーの厳しい要求仕様に対応した製品です。12mmから52mmまで、さまざまなワークサイズを取りそろえ、日々進化するパッケージング業界に貢献しています。
-
FC（フリップチップ）実装装置
- ICチップと基板を、ワイヤによって実装するワイヤ・ボンディングではなく、バンプと呼ばれる半田ボールで実装する方法です。特徴としてはワイヤ・ボンディングに比べて実装面積を小さくすることが出来ます。接続する基板は、パッケージ基板やメイン基板、リジッド基板やフレキシブル基板とさまざまです。また、チップ同士を直接実装する事（チップ・オン・チップ）も可能な実装方法として採用されています。その装置の熱源として弊社セラミックヒーターが採用されております。
- ※加圧と加熱を同時にでき、高速昇温冷却が可能なため、タクトタイムの短縮、実装精度の向上が実現できます。
-
TSV（Though-Silicon via）工法への展開
- 2015年以降、微細化されたメモリーチップを3次元化によって集積度を向上させるためTSV(through-silicon via：貫通電極)でチップ同士を接合させる工法に採用され、3D-NANDフラッシュメモリーやDRAM製造装置のコアパーツとして、なくてはならない製品です。
-
ACF（Anisotropic Conductive Film 異方性導電フィルム）接合
- 2015年以降、微細化されたメモリーチップを3次元化によって集積度を向上させるためTSV(through-silicon via：貫通電極)でチップ同士を接合させる工法に採用され、3D-NANDフラッシュメモリーやDRAM製造装置のコアパーツとして、なくてはならない製品です。
主なACF接合
-
Chip-on-Flex (COF)
配線に用いられるフレキシブル基板に半導体集積回路（LSI）を実装する方法
-
Chip-on-Glass(COG)
液晶パネルのガラス基板などに、半導体集積回路（LSI）を実装する方法
-
Flex-on-Glass (FOG)
ガラス基板などにフレキシブル基板を実装する方法
-
Flex-on-Flex (FOF)
フレキシブル基板とフレキシブル基板を実装し長尺フレキシブル基板を製造する方法
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